Los transistores rápidos podrían ahorrar energía
Gate electrode of an AlInN/GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)Los transistores, la piedra angular de la electrónica, tienen pérdidas y por lo tanto consumen energía. Colombo Bolognesi, profesor de electrónica de onda milimétrica en la ETH Zürich, y su grupo de investigación están especializados en el desarrollo de transistores de alto rendimiento destinados a transmitir información con tanta eficacia y rapidez como sea posible.
Apenas el año pasado, el grupo de Bolognesi batió su propio récord de velocidad para los llamados "transistores de alta movilidad electrónica (HEMT)" basados en los materiales nitruro de galio-aluminio (AlGaN/GaN) depositados sobre sustratos de silicio (véase el artículo de ETH Life del 09/09/2009).
Ahora, el equipo de Bolognesi, en colaboración con el grupo de Nicolas Grandjean (profesor de física en la EPF Lausanne) está estudiando también un nuevo material: en lugar de utilizar nitruro de galio-aluminio, los investigadores están explotando las propiedades favorables de una nueva combinación de materiales que consiste en el nitruro de indio-aluminio (AlInN/GaN).
Una posible aplicación comercial de estos transistores podría estar en los amplificadores de potencia de las antenas de transmisión inalámbricas. En ellas, los transistores de nitruro de galio ayudarían a reducir los costes de energía gracias a su mayor eficiencia energética.
Mediante el uso de los transistores de nitruro de galio, las operadoras de telefonía móvil podrían reducir significativamente su consumo de energía, y sus emisiones de CO2 en varias decenas de miles de toneladas.
Bolognesi cree que los transistores basados en el nitruro de galio podrían mejorar la eficiencia de los transmisores inalámbricos desde el 15-20% que tienen hoy en día, hasta el 60%.
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CI 18392113
ESS
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