Varios científicos de la Universidad Complutense de Madrid (UCM) han creado materiales artificiales con nuevas propiedades que abren una nueva vía para los dispositivos electrónicos del futuro, según ha informado este centro universitario.
Los científicos del Grupo de Física de Materiales Complejos de la UCM han producido heteroestructuras que alternan capas de titanato de estroncio y manganita de lantano, dos materiales aislantes que, sin embargo, unidos dan lugar a dos efectos hasta ahora inesperados: magnetismo y elevada conductividad eléctrica en la interfase entre ambos.
A juicio de los expertos, el resultado científico es de gran relevancia, ya que muestra la posibilidad de controlar la estructura electrónica de los materiales para obtener funcionalidades específicas. De esta forma, se propone la utilización de estos resultados para la implementación práctica de dispositivos de electrónica de óxidos como uniones túnel magnéticas (muy relevantes para el almacenamiento magnético de información) o dispositivos de efecto campo (transistores) controlados por campo magnético que pueden ser de utilidad como nuevos sensores.
Según explica la UCM, durante el siglo XX los dispositivos electrónicos han tenido una profunda influencia sobre la calidad de vida revolucionando las comunicaciones, la computación, la manufactura, y el transporte.
Castillo P. Jesus A.
C.I. 15.430.564
CRF
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